Transistor a emettitore comune

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Circuito a emettitore comune NPN
Transistor bjt nella configurazione ad emettitore comune

In elettronica, il transistor a emettitore comune è una configurazione del transistor a giunzione bipolare, usata comunemente come amplificatore. In tale dispositivo, l'emettitore è collegato direttamente a massa, mentre la base si trova alla tensione VBE. La VCC è la tensione di alimentazione del circuito ed RL è la resistenza di carico. La giunzione di emettitore risulta polarizzata direttamente e quella di collettore inversamente, nella "regione attiva" del transistor.

Si nota che:

(1)IC=αFIE+IC0(1eVCVT)
(2)IB=ICIE
(3)IC=IC0αIE

la corrente di collettore vale:

IC=IC0α(IBIC)=IC0+αIB+αIC

da cui, mettendo in evidenza IC:

IC=IC01α+αIB1α

In generale si definisce (4)β=α1α detta "amplificazione per ampi segnali", e dunque:

(5)IC=(1+β)IC0+βIB

che si può approssimare, sapendo che IB>>IC0 allora il primo addendo si può trascurare:

(5)ICβIB

che dice come il transistor si comporta come amplificatore: una piccola variazione della corrente di base produce tramite il coefficiente β, una notevole variazione di corrente di collettore, poiché 0,95α0,999 il coefficiente β è dell'ordine di 102. In questo senso il transistor è anche un generatore di corrente controllato in corrente (o anche controllato in tensione), per questa sua caratteristica.

In corrente continua l'amplificazione viene espressa anche come:

hFE=βdc=ICIBβ

mentre per piccoli segnali si usa il modello ibrido nel quale l'amplificazione di corrente è:

β=hfe=ICIB|VCE=cost

Si prenda ora il caso del transistor nella "regione di interdizione" (giunzioni polarizzate entrambe inversamente): in questa regione non dovrebbe passare corrente, quindi dovrebbe essere la regione nella quale IB=0IC=0. Ma seguendo le equazioni (1) e (2) si vede che per IB=0 si ottiene:

IC=IE=IC01α=ICB0

cioè una corrente di saturazione inversa di collettore quando la base è a circuito aperto cioè non passa corrente IB=0 (da notare che è diversa da IC0). Quindi non basta che la corrente di base sia nulla perché il transistor sia in interdizione (come si nota anche nel trattare la stessa zona in configurazione di base comune), c'è bisogno di un'ulteriore condizione cioè che: IC=IC0, cioè applicando una tensione VBE0,1V, è possibile effettivamente annullare tutte le correnti. Si prenda la "regione di saturazione": in questa regione entrambe le giunzioni sono polarizzate direttamente. In tale regione la corrente di collettore è indipendente dalla corrente di base, cioè qualsiasi valore della corrente di base non influisce sulla corrente di collettore.

Infine i ragionamenti fatti per la configurazione a collettore comune sono analoghi a quello a emettitore comune con le opportune variazioni di pedici nelle formule.

Caratteristiche

Alle basse frequenze, usando il modello a Pi greco ibrido, si possono ricavare le seguenti caratteristiche a "piccolo segnale".

Le linee parallele indicano componenti in parallelo.

Definizione Espressione
Guadagno in tensione Avvoutvin βRCrπ+(β+1)RE
Guadagno in corrente Aiioutiin β
Resistenza di ingresso rinviniin rπ+(β+1)RE
Resistenza di uscita routvoutiout RC

Voci correlate

Collegamenti esterni

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