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...transistor}} o '''UJT''') è un dispositivo [[elettronica|elettronico]] a [[semiconduttore]]. ..., che è un semplice dispositivo composto essenzialmente da una barretta di semiconduttore di tipo N in cui è stato diffusa una certa quantità di materiale di tipo P. ...

L''''effetto valanga''' o '''breakdown a valanga''' è un processo di moltiplicazione della [[corrente elettrica]] ch ...moderata, ma imposta su una distanza molto corta (come nei dispositivi a [[Semiconduttore|semiconduttori]]). ...

...ica)|interfaccia]] che separa le parti di un [[semiconduttore]] sottoposte a [[drogaggio]] di tipo differente. ...i drogaggi e da ciascun lato è inversamente proporzionale al drogaggio del semiconduttore. ...

...[[fisica dello stato solido|stato solido]] ([[dispositivo a semiconduttore|semiconduttore]]) che converte l'[[energia]] della [[luce solare]] incidente in [[elettric ...si presenta in genere di colore nero o blu e con dimensioni variabili da 4 a 6 [[Pollice (unità di misura)|pollici]]. ...

...a contenente il materiale da deporre in [[soluzione (chimica)|soluzione]], a cui fa seguito la successiva rimozione e asciugatura. Il pezzo rivestito pu ...strato viene immerso nella soluzione contenente il materiale da depositare a velocità costante ed evitando brusche agitazioni. ...

...on raggiunge una [[velocità di deriva]] (''drift velocity'') costante pari a: ...rico, un portatore di carica è soggetto sia all'azione di quest'ultimo sia a interazioni con il mezzo in cui è immerso (ad esempio un [[solvente]]). ...

L{{'}}'''amplificatore operazionale a transconduttanza''' (in inglese ''operational transconductance amplifier'', ...i di second'ordine per MOSFET submicrometrici). È fondamentale capire che, a causa della caratteristica del transistore, tale parallelo deve erogare (as ...

...una [[banda proibita]] diretta di 2,26 eV<ref name=CRC/>.; di solito è un semiconduttore di tipo p. La sua struttura cristallina è [[Sistema cubico|cubica]], come q ...ini [[Microscopio a effetto tunnel|STM]] della superficie ZnTe(110), prese a diverse risoluzioni e rotazione del campione, insieme al suo modello atomic ...

...egli [[Ione|ioni]] vengono impiantati in un solido (in particolare in un [[semiconduttore]]) cambiandone le proprietà fisiche. ...i impurezze di tipo N o P, nelle zone dei [[wafer (elettronica)|wafer]] di semiconduttore, precedentemente delineate con le operazioni di ''mascheratura''. ...

...a)|rumore]] in cui le componenti a bassa frequenza hanno potenza maggiore, a differenza del [[rumore bianco]] in cui la potenza è uguale per qualsiasi f Tipicamente nei dispositivi elettronici a [[semiconduttore]] è causato da un insieme di fenomeni di intrappolamento e rilascio dei por ...

...a efficiente della [[potenza elettrica]] disponibile in [[input|ingresso]] a un sistema fisico, [[circuito elettrico]] o [[circuito elettronico|elettron ...alcuni [[milliwatt]] (come nei [[telefono cellulare|telefoni cellulari]]) a centinaia di [[megawatt]] (come nei sistemi di trasmissione [[HVDC]]). ...

...ezionale pulsante perché raddrizzata a una semionda; in basso, raddrizzata a doppia semionda]] ...iodes bridge rectifier.jpg|thumb|Schema di ponte raddrizzatore con diodi a semiconduttore.]] ...

...graduale di [[ioni]] all'interno di un [[Conduttore elettrico|conduttore]] a causa del [[trasferimento di quantità di moto]] tra elettroni di conduzione ...ometri]]. Attualmente esse hanno una larghezza che va da qualche centinaio a qualche decina di nanometri, il che rende la ricerca sull'elettromigrazione ...

...] che descrivono i [[fenomeni di trasporto]] nei [[Dispositivo elettronico|dispositivi elettronici]]. ...ettronici]], in particolare i [[Dispositivo a semiconduttore|dispositivi a semiconduttore]]<ref name="Selberherr">{{Cita|Selberherr}}.</ref><ref name="Markowich">{{C ...

...ttronico|dispositivi elettronici]] e [[microelettronica|microelettronici]] a [[stato solido]] quali [[transistor]], [[Diodo|diodi]] e [[LED|diodi ad emi ...sito=www.chimica-online.it}}</ref>; inoltre, altre proprietà tipiche di un semiconduttore sono la diminuzione della resistività all'aumentare della temperatura, la [ ...

...ei [[semiconduttore organico|semiconduttori organici]] e di vari tipi di [[semiconduttore]] [[Chimica inorganica|inorganico]]. I sistemi fotovoltaici ibridi sono cos ...me accettori e trasportatori di [[Elettrone|elettroni]] nella struttura. I dispositivi fotovoltaici ibridi hanno un potenziale significativo non soltanto nella fa ...

...e) l’effettuare dei paragoni ragionevoli ed attendibili basati sul TDP fra dispositivi prodotti da diversi costruttori, e inoltre rende difficile ottimizzare il p ...una [[resistenza termica]] che è di diversi ordini di grandezza superiore a quella del [[Dissipatore (elettronica)|dissipatore]] di [[calore]], per cui ...

...rficie di un elemento sensore (una lamina, una membrana, un filo, o altro) a cui è fissato; queste deformazioni (tipicamente allungamenti e accorciament Collegando a questo elemento un [[sistema di misura]] in grado di leggere variazioni di ...

...oni a semiconduttore]]. Differisce dalle altre tipologie di rivelatore a [[semiconduttore]] per la presenza di un [[Velocità di deriva|campo di deriva]], trasversale ...depositata dalla radiazione stessa. Un rivelatore con topologia a [[Diodo a giunzione|diodo p-n]] o derivate ([[Diodo PIN|diodo p-i-n]], microstrip) vi ...

...D.jpg|thumb|[[MOSFET di potenza|Transistor di potenza]] a effetto di campo a canale N]] In [[elettronica]] il '''transistor a effetto di campo''' (in [[Lingua inglese|inglese]] ''Field-Effect Transisto ...