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Dettagli
| Descrizione |
English: Single electron transistor with niobium leads and aluminium island.
Deutsch: Realisierung eines Einzelelektronentransistors mit Nb-AlOx-Al-Tunnelübergängen.
|
| Data | Göteborg 1999 |
| Fonte | Created by Torsten Henning and published in Charging effects in niobium nanostructures, PhD thesis, Mikroelektronik och Nanovetenskap, Chalmers Tekniska Högskola AB och Göteborgs Universitet, Göteborg 1999. Full text available online [1] as www.arxiv.org e-print cond-mat/9901308. |
| Autore | Torsten Henning |
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|---|---|---|---|---|---|
| attuale | 13:50, 12 ott 2005 | | 1 917 × 958 (302 KB) | wikimediacommons>DrTorstenHenning | {{English}} Single electron transistor with niobium leads and aluminium island. Left: scanning electron micrograph, right: artistic interpretation. Created by Torsten Henning and published in ''Charging effects in niobium nanostructures'', PhD thesis, Mi |
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